机译:1200 V常关和常开垂直沟道SiC功率JFET器件的比较
机译:SiC JFET和SiC JFET / Si MOSFET级联配置的开关性能比较
机译:Cascode Light配置中的1200V SiC JFET:与基于Si和SiC的开关的比较
机译:用于常开SiC JFET并联的不同栅极驱动器配置的实验比较
机译:硅(Si)基板上的单向常态垂直碳化硅(3C-SiC)MESFET。
机译:通过比较实验性ECD和ORD光谱与DFT计算确定的DNA损伤的绝对构型
机译:常开SiC JFET并联连接的不同栅极驱动器配置的实验比较